多量子阱半導(dǎo)體激光器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210275276.1 申請日 -
公開（公告）號 CN102801108B 公開（公告）日 2015-06-24
申請公布號 CN102801108B 申請公布日 2015-06-24
分類號 H01S5/34(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張普;劉興勝;熊玲玲;王貞福;劉暉;聶志強(qiáng) 申請（專利權(quán)）人 西安中科光機(jī)投資控股有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 西安立芯光電科技有限公司
地址 710119 陜西省西安市高新區(qū)新型工業(yè)園信息大道17號光機(jī)所10號樓三層301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種多量子阱半導(dǎo)體激光器及其制備方法，以提高多量子阱半導(dǎo)體激光器的散熱效率，實現(xiàn)大功率、高可靠的激光輸出。該多量子阱半導(dǎo)體激光器，包括多個量子阱層以及設(shè)置于各量子阱層之間的勢壘層，其特殊之處在于：每個量子阱層設(shè)置有一個或多個發(fā)光區(qū)，相鄰量子阱層的發(fā)光區(qū)相互錯開。本發(fā)明采用量子阱層發(fā)光區(qū)相互交錯的方式，降低了有源區(qū)熱串?dāng)_，減小了系統(tǒng)熱阻；可實現(xiàn)激光大功率輸出。