一種解決SGT-MOSFET場氧化層橫向過腐問題的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110900637.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113782433A 公開（公告）日 2021-12-10
申請公布號 CN113782433A 申請公布日 2021-12-10
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 代萌 申請（專利權(quán)）人 江蘇格瑞寶電子有限公司
代理機構(gòu) 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張婧
地址 211800江蘇省南京市浦口區(qū)浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)雙峰路69號智慧谷核心研發(fā)中心A幢11層1104室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種解決SGT?MOSFET場氧化層橫向過腐問題的制備方法，包括如下步驟：生長外延層，淀積掩蔽層，淀積光刻膠，溝槽光刻，溝槽刻蝕，掩蔽層移除，場氧化層生長，屏蔽柵多晶硅填充，屏蔽柵多晶硅刻蝕，場氧化層溝槽光刻，場氧化層淺溝槽填充形成掩膜層，場氧化層掩膜層光刻，場氧化層刻蝕，場氧化層掩膜層去除；生長柵氧化層，淀積柵多晶硅并刻蝕并形成MOSFET的柵極。本發(fā)明通過在深溝槽兩頭的場氧化層中形成垂直于深溝槽的另一溝槽，并在其中填充氮化硅，利用氮化硅阻隔場氧化層的橫向刻蝕，從而有效解決場氧化層的過腐問題；相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明在不用犧牲芯片面積的前提下，解決場氧化層過腐的問題，規(guī)避卡緊失效的風(fēng)險。