金屬層作為源區(qū)的P型MOSFET結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111091024.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113793873A 公開(kāi)（公告）日 2021-12-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN113793873A 申請(qǐng)公布日 2021-12-14
分類號(hào) H01L29/786（2006.01）I;H01L29/47（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 代萌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇格瑞寶電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張婧
地址 211800江蘇省南京市浦口區(qū)浦口經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)雙峰路69號(hào)A-1104
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種金屬層作為源區(qū)的P型MOSFET結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括自下而上依次設(shè)置的P型基片、P?型外延層、外延層表面注入N型雜質(zhì)形成的溝道區(qū)、與外延層表面形成肖特基接觸作為源區(qū)的金屬層以及介質(zhì)層，所述介質(zhì)層、金屬層、溝道區(qū)和P?型外延層內(nèi)設(shè)有填充有P型重?fù)诫s多晶硅的溝槽，該P(yáng)型重?fù)诫s多晶硅四周包覆有一層?xùn)叛?。本發(fā)明將肖特基金屬作為源區(qū)相比于現(xiàn)有技術(shù)中將多晶硅作為源區(qū)，因金屬層鋪在整個(gè)外延層表面，可改善電流均勻性，提升散熱效率；還能避免多晶硅和硅表面形成的柵氧厚度不一可能導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)缺陷。