一種解決SGT-MOSFET柵極多晶硅刻蝕穿通的工藝方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110900618.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113690143A 公開（公告）日 2021-11-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN113690143A 申請(qǐng)公布日 2021-11-23
分類號(hào) H01L21/336;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 代萌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇格瑞寶電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張婧
地址 211800 江蘇省南京市浦口區(qū)浦口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)雙峰路69號(hào)A-1104
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種解決SGT?MOSFET柵極多晶硅刻蝕穿通的工藝方法，包括如下步驟：在基片上外延生長(zhǎng)外延層，并在外延層上生長(zhǎng)一層掩蔽層；淀積一層光刻膠，進(jìn)行溝槽光刻，刻蝕出溝槽刻蝕窗口；進(jìn)行深溝槽刻蝕，進(jìn)行犧牲氧化，再生長(zhǎng)出一層場(chǎng)氧化層；淀積屏蔽柵多晶硅，對(duì)屏蔽柵多晶硅進(jìn)行刻蝕，掩蔽層回刻，在溝槽內(nèi)淀積二氧化硅隔離層，刻蝕溝槽內(nèi)二氧化硅隔離層，去除掩蔽層；生長(zhǎng)柵氧化層，淀積柵極多晶硅，淀積離子注入二氧化硅掩蔽層，離子注入柵極多晶硅，去除離子注入二氧化硅掩蔽層，柵極多晶硅回刻至與硅表面齊平。本發(fā)明可消除柵極多晶硅的V字形，能有效解決柵極多晶硅因接觸孔刻蝕穿通的問題。