MEMS揚(yáng)聲器及MEMS揚(yáng)聲器制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110758271.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113365196A 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN113365196A 申請公布日 2021-09-07
分類號 H04R17/00（2006.01）I;H04R19/00（2006.01）I;H04R19/02（2006.01）I;H04R31/00（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I 分類 電通信技術(shù);
發(fā)明人 程詩陽;周一葦;但強(qiáng);李楊 申請（專利權(quán)）人 瑞聲聲學(xué)科技（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳紫辰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 萬鵬
地址 430200湖北省武漢市光谷三路777號武漢東湖綜合保稅區(qū)A塔樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種MEMS揚(yáng)聲器，包括圍成空腔的基底側(cè)壁，基底側(cè)壁包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面，設(shè)置于所述基底側(cè)壁的第一表面并且密閉所述空腔在所述第一表面的開口的發(fā)聲組件以及設(shè)置于所述空腔內(nèi)的支架，發(fā)聲組件包括第一發(fā)聲組件和第二發(fā)聲組件，每個(gè)發(fā)聲組件包括驅(qū)動(dòng)部和柔性振膜，驅(qū)動(dòng)部的固定端固定于支架，柔性振膜密閉相鄰的驅(qū)動(dòng)部的自由端之間形成的以及驅(qū)動(dòng)部的自由端與基底側(cè)壁之間形成的縫隙。本發(fā)明還提供了一種MEMS揚(yáng)聲器的制造方法。本發(fā)明提供的MEMS揚(yáng)聲器具有優(yōu)質(zhì)的聲學(xué)性能。