一種高壓高邊柵極驅(qū)動(dòng)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202021483056.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN212969431U 公開(kāi)(公告)日 2021-04-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN212969431U 申請(qǐng)公布日 2021-04-13
分類(lèi)號(hào) H02M1/08(2006.01)I 分類(lèi) 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 吳天;錢(qián)海濤 申請(qǐng)(專利權(quán))人 宜矽源半導(dǎo)體南京有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 210039江蘇省南京市雨花臺(tái)區(qū)證大喜馬拉雅G座809
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種高壓高邊柵極驅(qū)動(dòng)器,屬于高壓電源管理單元領(lǐng)域。本實(shí)用新型包括由MN2、MN3、MN4,MNL2、MNL3、MNL4,MP2、MP3、MP4和MPL2、MPL3、MPL4形成的電平轉(zhuǎn)換模塊;上拉晶體管MP1;下拉晶體管MN1,MNL1和MNL0;由D0和C1組成的浮動(dòng)電源發(fā)生器;比較器形成的門(mén)監(jiān)控電路以及控制邏輯單元。本實(shí)用新型應(yīng)用于片上全集成功率轉(zhuǎn)換器中的高壓高邊柵極驅(qū)動(dòng)器模塊,其用途是驅(qū)動(dòng)高邊功率MOSFET,相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù),不需要大容量的片外電容器,最小化縮減芯片面積,減少成本。??