一種在人工反鐵磁結(jié)構(gòu)上利用低電壓調(diào)控RKKY的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911072262.8 申請日 -
公開（公告）號 CN111103519A 公開（公告）日 2020-05-05
申請公布號 CN111103519A 申請公布日 2020-05-05
分類號 G01R31/26;G01R33/14;H01L43/10;H01L43/12 分類 測量；測試;
發(fā)明人 張曉慧;周子堯;胡忠強;張瑤 申請（專利權(quán)）人 西安科匯電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 代理人 姚詠華
地址 710075 陜西省西安市高新區(qū)高新二路12號協(xié)同大廈后樓5層1505
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種在人工反鐵磁結(jié)構(gòu)上利用低電壓調(diào)控RKKY的方法，包括：在柔性襯底上依次生長Ta層和人工反鐵磁結(jié)構(gòu)，改變非磁性層的厚度，非磁性層厚度的變化使得材料在鐵磁層與反鐵磁層之間轉(zhuǎn)化，觀測其厚度依賴特性；對在柔性襯底上生長的Ta層、人工反鐵磁結(jié)構(gòu)上做應(yīng)力測試，對不同曲率下的材料測試磁滯回線并觀察其回復(fù)性；用離子液體對Si襯底上的材料加電壓(≤4V)調(diào)控，對柔性襯底上的材料在不同曲率下加電壓調(diào)控，并觀測磁滯回線的變化。該方案成功實現(xiàn)了人工反鐵磁體在電壓調(diào)控下鐵磁、反鐵磁狀態(tài)的改變以及單、雙、三電滯回線的轉(zhuǎn)換，同時保持了良好的回復(fù)性。