用于MRI系統(tǒng)的混合型開關(guān)功率放大器及其控制方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201711337503.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN108011602B | 公開(公告)日 | 2021-08-03 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN108011602B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-03 |
分類號(hào) | H03F3/217(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 陳啟興;成竹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 蘇州眾能醫(yī)療科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 蘇州維進(jìn)專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 程?hào)|輝 |
地址 | 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街218號(hào)生物納米園A7樓205室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請(qǐng)公開了一種用于MRI系統(tǒng)的混合型開關(guān)功率放大器及其控制方法,其中混合型開關(guān)功率放大器包括:至少兩個(gè)IGBT全橋,至少一個(gè)MOSFET全橋,控制IGBT全橋和MOSFET全橋輸出的控制器;各個(gè)IGBT全橋的輸出端、各個(gè)MOSFET全橋的輸出端相互串聯(lián)或并聯(lián)混合拓?fù)?。本申?qǐng)這種用于MRI系統(tǒng)的混合型開關(guān)功率放大器采用IGBT功率開關(guān)管與MOSFET功率開關(guān)管的混合拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),與現(xiàn)有以IGBT或者M(jìn)OSFET為單一開關(guān)管拓補(bǔ)的功率放大器比較,不僅電路簡(jiǎn)單,減少了開關(guān)器件,降低了電路成本;而且可以生成多個(gè)開關(guān)輸出電平來合成所輸出的電流,達(dá)到降低輸出電流諧波成分。 |
