一種提高射頻電感品質(zhì)因數(shù)的方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202210121684.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114447224A | 公開(公告)日 | 2022-05-06 |
申請公布號 | CN114447224A | 申請公布日 | 2022-05-06 |
分類號 | H01L49/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 謝旭平;盧煜旻;朱欣恩 | 申請(專利權(quán))人 | 上海矽杰微電子有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 嘉興啟帆專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 程開生 |
地址 | 201800上海市嘉定區(qū)葉城路1288號6幢J461室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種提高射頻電感品質(zhì)因數(shù)的方法,包括步驟S1:根據(jù)硅襯底工藝從而選定襯底層;步驟S2:在襯底層的一側(cè)設(shè)置金屬層,并且根據(jù)需求設(shè)置金屬層中的金屬結(jié)構(gòu)的材質(zhì)、金屬結(jié)構(gòu)的數(shù)量和介質(zhì)結(jié)構(gòu)的材質(zhì)。本發(fā)明公開的一種提高射頻電感品質(zhì)因數(shù)的方法,其通過金屬層和襯底層進(jìn)行設(shè)置,并且根據(jù)需求設(shè)定金屬層的材質(zhì)和數(shù)量以及設(shè)定襯底層的厚度,以減薄襯底層的厚度從而提高片上射頻電感Q值。 |
