晶體生長時(shí)利用多層套筒形成的溫度梯度控制結(jié)構(gòu)及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210028171.6 申請日 -
公開（公告）號 CN103243378B 公開（公告）日 2016-12-14
申請公布號 CN103243378B 申請公布日 2016-12-14
分類號 C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉朝軒;王晨光 申請（專利權(quán)）人 鑫融基投資擔(dān)保有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 471009 河南省洛陽市國家高新技術(shù)開發(fā)區(qū)金鑫路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種晶體生長時(shí)利用多層套筒形成的溫度梯度控制結(jié)構(gòu)及方法，涉及一種晶體材料的生長設(shè)備，在爐室(2)內(nèi)設(shè)有坩堝(7)，坩堝的下部處于多層套筒內(nèi)，多層套筒下端處于于支撐環(huán)上，支撐環(huán)處于爐室底板或底部保溫層(16)上，形成坩堝的下部獨(dú)立空間；在多層套筒外部設(shè)有發(fā)熱體(5)；冷卻介質(zhì)降溫機(jī)構(gòu)設(shè)置在多層套筒內(nèi)的下部；由冷卻介質(zhì)降溫機(jī)構(gòu)獲取的坩堝底部低溫區(qū)形成坩堝的溫度梯度；當(dāng)發(fā)熱體對坩堝加熱時(shí)，通入坩堝下部的冷卻介質(zhì)降溫機(jī)構(gòu)的冷氣便會處于多層套筒內(nèi)，最大可能的使冷能不外泄；而此時(shí)的發(fā)熱體也受到冷能的影響最小，較好的實(shí)現(xiàn)了坩堝上部溫度高下部溫度底的溫度梯度；由于多層筒套的作用，可確保坩堝極少出現(xiàn)非均勻晶核。