一種生長(zhǎng)晶體材料時(shí)的溫度引導(dǎo)裝置及其方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210049146.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103290485B 公開(kāi)（公告）日 2017-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN103290485B 申請(qǐng)公布日 2017-03-22
分類(lèi)號(hào) C30B35/00(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 劉朝軒 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 鑫融基投資擔(dān)保有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 471009 河南省洛陽(yáng)市國(guó)家高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)金鑫路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種生長(zhǎng)晶體材料時(shí)的溫度引導(dǎo)裝置及其方法，涉及一種晶體材料生長(zhǎng)設(shè)備的輔助溫控裝置，在爐室(21)內(nèi)坩堝(6)的上端設(shè)有上蓋(23)，上蓋的下部與坩堝的上端之間設(shè)有導(dǎo)熱通路；所述發(fā)熱體(22)分別連接電源的正負(fù)極，發(fā)熱體對(duì)坩堝輻射加熱，同步也對(duì)坩堝上部的晶體材料(7)加熱，同時(shí)由上蓋的上蓋外沿(2)形成發(fā)熱體上端熱能向坩堝的上部聚攏，由坩堝與上蓋之間的導(dǎo)熱通路引導(dǎo)熱能向坩堝內(nèi)晶體材料上部的加熱，坩堝內(nèi)晶體材料上部的溫度獲取高于坩堝內(nèi)下部的晶體材料溫度；本發(fā)明由上蓋形成發(fā)熱體熱能向坩堝內(nèi)晶體材料的上部聚攏，使上部的晶體材料獲取較快的溫度上升，實(shí)現(xiàn)了溫度引導(dǎo)和最大化利用熱能的目的。