一種晶體生長時下軸對坩堝的柔性降溫結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210074340.X 申請日 -
公開（公告）號 CN103305901B 公開（公告）日 2016-10-05
申請公布號 CN103305901B 申請公布日 2016-10-05
分類號 C30B11/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉朝軒;王晨光 申請（專利權(quán)）人 鑫融基投資擔保有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 471009 河南省洛陽市國家高新技術(shù)開發(fā)區(qū)金鑫路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種晶體生長時下軸對坩堝的柔性降溫結(jié)構(gòu)，涉及一種晶體材料的生長設(shè)備，包括下軸(12)、管路(13)和附加管(19)，在下軸(12)的內(nèi)壁或外壁設(shè)有附加管(19)，所述附加管(19)與下軸(12)的內(nèi)壁或外壁之間具有間隙(20)；管路(13)間隔設(shè)置在下軸(12)內(nèi)附加管(19)的內(nèi)孔(21)內(nèi)或管路(13)間隔設(shè)置在附加管(19)包裹的下軸(12)內(nèi)；本發(fā)明通過在下軸的外部或內(nèi)部添加附加管，由附加管形成對坩堝下部空間的低溫影響得到減小，有效地使熱能散失問題得到控制，實現(xiàn)了熱能溫度的最大化利用的目的。