一種生長晶體材料時(shí)的溫度梯度控制裝置及其方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210020279.0 申請日 -
公開（公告）號 CN103160934B 公開（公告）日 2016-05-18
申請公布號 CN103160934B 申請公布日 2016-05-18
分類號 C30B35/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉朝軒 申請（專利權(quán)）人 鑫融基投資擔(dān)保有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 471009 河南省洛陽市國家高新技術(shù)開發(fā)區(qū)金鑫路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種生長晶體材料時(shí)的溫度梯度控制裝置及其方法，涉及一種晶體材料的生長設(shè)備，在爐室(1)內(nèi)設(shè)有坩堝(5)，坩堝的下部處于套筒(4)內(nèi)，在套筒外部設(shè)有發(fā)熱體(3)；冷卻介質(zhì)降溫機(jī)構(gòu)設(shè)置在套筒內(nèi)的下部；由冷卻介質(zhì)降溫機(jī)構(gòu)形成坩堝上部溫度高下部溫度底的溫度梯度控制；本發(fā)明通過將套筒套在坩堝的外部，發(fā)熱體首先加熱筒套，筒套再對坩堝加熱，由于本發(fā)明在坩堝底部與套筒底部的立軸高度較高，并且立軸在套筒的底部高度也較高，在通入惰性氣體后，所述立軸的散熱面積也明顯加大，使得坩堝底部與套筒內(nèi)的底部之間形成低溫區(qū)，獲取了較佳的溫度梯度；由于筒套的作用，還可確保坩堝極少出現(xiàn)非均勻晶核。