MPS二極管器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201822268708.1 申請日 -
公開（公告）號 CN209766432U 公開（公告）日 2019-12-10
申請公布號 CN209766432U 申請公布日 2019-12-10
分類號 H01L29/861（2006.01）; H01L29/06（2006.01）; H01L21/329（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 卓廷厚; 李釗君; 劉延聰 申請（專利權(quán)）人 廈門芯光潤澤科技有限公司
代理機構(gòu) 廈門仕誠聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 廈門芯光潤澤科技有限公司
地址 361000 福建省廈門市火炬高新區(qū)火炬園火炬路56-58號火炬廣場南樓203-76
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種MPS二極管器件。所述MPS二極管器件自下而上包括陰極電極、N+碳化硅襯底、N?外延層和陽極電極；所述N?外延層具有至少兩個P+區(qū)；相鄰兩個所述P+區(qū)之間具有N?補償摻雜區(qū)，所述N?補償摻雜區(qū)的深度大于所述P+區(qū)的深度，所述N?補償摻雜區(qū)的摻雜濃度高于所述N?外延層的摻雜濃度；所述陽極電極包括第一金屬和第二金屬，所述P+區(qū)表面與所述第一金屬之間為歐姆接觸，所述N?補償摻雜區(qū)表面與所述第二金屬之間肖特基為接觸。所述MPS二極管能夠改善器件導通特性，促使器件的正向壓降降低。