碳化硅MOSFET器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201920197953.X 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN209766429U 公開（公告）日 2019-12-10
申請公布號(hào) CN209766429U 申請公布日 2019-12-10
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）; H01L21/04（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 卓廷厚; 李釗君; 劉延聰 申請（專利權(quán)）人 廈門芯光潤澤科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門仕誠聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 廈門芯光潤澤科技有限公司
地址 361000 福建省廈門市火炬高新區(qū)火炬園火炬路56-58號(hào)火炬廣場南樓203-76
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種碳化硅MOSFET器件。所述碳化硅MOSFET器件自下而上包括漏電極，N+襯底和N?外延層；N?外延層具有第一P?阱區(qū)，第一P?阱區(qū)中具有P+區(qū)和N+區(qū)；還包括：第一金屬，第一金屬與P+區(qū)上表面和部分N+區(qū)上表面形成第一歐姆接觸；第二P?阱區(qū)，位于相鄰兩個(gè)第一P?阱區(qū)之間，第二P?阱區(qū)與兩側(cè)的第一P?阱區(qū)均具有第一間隔，第二P?阱區(qū)包圍有溝槽；第二金屬，第二金屬覆蓋溝槽表面以形成第二歐姆接觸，第二金屬同時(shí)覆蓋第一間隔上表面以形成肖特基接觸。所述碳化硅MOSFET器件提升器件續(xù)流能力的同時(shí)，防止肖特基接觸區(qū)在器件工作在高壓阻斷模式時(shí)泄漏電流過大的問題。