碳化硅UMOSFET器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201920068385.3 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN209447806U 公開（公告）日 2019-09-27
申請公布號(hào) CN209447806U 申請公布日 2019-09-27
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I; H01L29/812（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 卓廷厚; 李釗君; 劉延聰 申請（專利權(quán)）人 廈門芯光潤澤科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門仕誠聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 廈門芯光潤澤科技有限公司
地址 361000 福建省廈門市火炬高新區(qū)火炬園火炬路56-58號(hào)火炬廣場南樓203-76
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種碳化硅UMOSFET器件。所述器件自下而上包括漏電極層、N+碳化硅襯底和N?外延層；N?外延層具有第一P?阱區(qū)、第一N+注入?yún)^(qū)、第二P?阱區(qū)、第二N+注入?yún)^(qū)、第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽；第一柵結(jié)構(gòu)和第二柵結(jié)構(gòu)之間留有第三凹槽的第一底面；第三凹槽底部下方具有多個(gè)P+注入?yún)^(qū)，相鄰P+注入?yún)^(qū)之間具有間隔；第一金屬、第二金屬和第三金屬，第三金屬覆蓋第一金屬和第二金屬，同時(shí)第三金屬填充剩余的第一凹槽、剩余的第二凹槽和剩余的第三凹槽，所述第一金屬與間隔的上表面形成肖特基接觸。所述器件提升了續(xù)流能力，可靠性提高，漏電流減小，開關(guān)能力提升。