一種CVD工藝用硅舟及其返修清洗方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010961018.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112301424B 公開（公告）日 2021-09-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN112301424B 申請(qǐng)公布日 2021-09-21
分類號(hào) C30B28/14（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C23F1/32（2006.01）I;C23F1/24（2006.01）I;B08B3/08（2006.01）I;B08B3/12（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 韓穎超;馬志杰;李長(zhǎng)蘇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州盾源聚芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州杭誠(chéng)專利事務(wù)所有限公司 代理人 鄭汝珍
地址 310051浙江省杭州市濱江區(qū)濱康路668號(hào)C幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明為了克服現(xiàn)有技術(shù)中硅舟在多晶硅沉積后不能循環(huán)使用的技術(shù)問題，提供一種CVD工藝用硅舟及其返修清洗方法，所述硅舟包括天板、法蘭和溝棒，其特征在于，天板的端面上設(shè)有第一熔接槽，法蘭靠近天板的端面上設(shè)有第二熔接槽，溝棒的一端設(shè)有與第一熔接槽相匹配的第一熔接頭，溝棒的另一端設(shè)有與第二熔接槽相匹配的第二熔接頭。所述硅舟中溝齒和溝棒的有效面積較小，在薄膜沉積到一定厚度時(shí)，降低剝離的薄膜顆粒對(duì)晶圓造成污染的幾率，所述返修清洗方法可在有效去除表面沉積層同時(shí)，不會(huì)對(duì)硅舟基體表面帶來較大的損傷和形貌變化，從而保證了硅舟可以在多晶硅薄膜沉積工藝循環(huán)使用。