一種可調(diào)節(jié)相對高度的雙支撐硅舟及熱處理裝置
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202111006298.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN113437001A | 公開（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申請公布號 | CN113437001A | 申請公布日 | 2021-09-24 |
| 分類號 | H01L21/673（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;H01L21/324（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 韓穎超;馬瀟;周波;李長蘇 | 申請（專利權(quán)）人 | 杭州盾源聚芯半導體科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 杭州信與義專利代理有限公司 | 代理人 | 馬育妙 |
| 地址 | 310053浙江省杭州市濱江區(qū)濱康路668號C幢 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種可調(diào)節(jié)相對高度的雙支撐硅舟，涉及半導體器件技術領域。包括頂板、底板以及固定安裝在頂板與底板間的第一支撐組件；第一支撐組件包括至少兩根第一支撐條，第一支撐條上間隔設置有用于放置硅片的第一支撐塊；還包括第二支撐組件，第二支撐組件與頂板和/或底板滑動配合；頂升機構(gòu)，包括受熱形變的形變組件，形變組件受熱后產(chǎn)生豎直向上的形變量，第二支撐塊相對于第一支撐塊作豎直向上的運動直至第二支撐塊將硅片頂起，使硅片與第一支撐塊脫離；本發(fā)明還提供一種熱處理裝置。本發(fā)明通過雙支撐設計，有效改善了遮擋區(qū)域的熱處理效果。 |
