一種多晶硅棒材料的高潔凈度退火方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110970253.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113417010B | 公開(公告)日 | 2021-11-09 |
申請公布號 | CN113417010B | 申請公布日 | 2021-11-09 |
分類號 | C30B33/02(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I;C07C51/60(2006.01)I;C07C53/50(2006.01)I;C07C45/45(2006.01)I;C07C45/46(2006.01)I;C07C49/80(2006.01)I;C07C17/35(2006.01)I;C07C22/04(2006.01)I;C07C303/32(2006.01)I;C07C309/39(2006.01)I;C07C213/04(2006.01)I;C07C215/08(2006.01)I;C07C213/06(2006.01)I;C07C219/06(2006.01)I;C08H1/00(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 韓穎超;趙佑晨;余正飛;李長蘇 | 申請(專利權(quán))人 | 杭州盾源聚芯半導(dǎo)體科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 杭州信與義專利代理有限公司 | 代理人 | 馬育妙 |
地址 | 310053浙江省杭州市濱江區(qū)濱康路668號C幢 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種多晶硅棒材料的高潔凈度退火方法,包括多晶硅棒脫脂清洗、多晶硅棒純水一次浸泡、多晶硅棒混酸刻蝕、多晶硅棒純水二次浸泡、多晶硅棒氮?dú)獯蹈?、退火爐清洗、多晶硅棒退火;該多晶硅棒材料表面油脂含量低,且材料體相金屬含量低,具有很好的機(jī)械加工效果,能夠滿足芯片制造工藝,并在多晶硅棒脫脂清洗過程中制備了一種脫脂粉,將明膠溶解加入中間體6,在1?羥基苯并三唑的作用下,中間體6上的羧基與明膠表面的氨基發(fā)生脫水縮合,與中間體4繼續(xù)反應(yīng),再用氯乙酸鈉進(jìn)行處理,制得脫脂粉,該脫脂粉能夠?qū)⒆陨肀砻婊钚苑肿訚B透到油脂中,與多晶硅棒表面隔開,并將油脂乳化分散到水中,達(dá)到脫脂效果。 |
