大功率半導(dǎo)體器件
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202022733993.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN213635976U | 公開(公告)日 | 2021-07-06 |
申請公布號(hào) | CN213635976U | 申請公布日 | 2021-07-06 |
分類號(hào) | H01L25/00;H01L23/31;H01L23/48 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 吳炆皜;何洪運(yùn);沈加勇 | 申請(專利權(quán))人 | 蘇州固锝電子股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 馬明渡;王健 |
地址 | 215153 江蘇省蘇州市新區(qū)通安經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)通錫路31號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型公開一種大功率半導(dǎo)體器件,包括由環(huán)氧封裝體包覆的芯片基板、第一芯片組和第二芯片組,所述第一芯片組、第二芯片組疊置于芯片基板上,所述第二芯片組位于第一芯片組下方且該第二芯片組的下層電極與芯片基板電連接;所述芯片基板的一端自環(huán)氧封裝體內(nèi)向外伸出作為第一端子,位于環(huán)氧封裝體內(nèi)的該芯片基板的另一端通過一第一連接片與第一芯片組的上層電極連接,所述第一連接片遠(yuǎn)離第一芯片組的一端向下折彎并與芯片基板連接;所述第二芯片組的下層電極與芯片基板之間通過一金屬塊電連接。本實(shí)用新型進(jìn)一步降低了產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)應(yīng)力,提高產(chǎn)品在使用過程中的穩(wěn)定性。 |
