一種高質(zhì)量CsPbI2Br無機(jī)鈣鈦礦薄膜的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811536770.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN109638162B | 公開（公告）日 | 2022-07-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109638162B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-05 |
| 分類號(hào) | H01L51/42（2006.01）I;H01L51/48（2006.01）I;US 2015311364 A1,2015.10.29;CN 106611819 A,2017.05.03;CN 105655490 A,2016.06.08;CN 108550655 A,2018.09.18;CN 108649121 A,2018.10.12;CN 107986323 A,2018.05.04;CN 108682745 A,2018.10.19;CN 107210373 A,2017.09.26;CN 106410035 A,2017.02.15;CN 106328813 A,2017.01.11;CN 107634144 A,2018.01.26;CN 108369991 A,2018.08.03;US 2014332078 A1,2014.11.13 陳高玲、孫亞平、周鵬、王多發(fā)、章天金.《反溶劑兩步法制備TiO2/CH3NH3PbI3鈣鈦礦太陽能電池》.《湖北大學(xué)學(xué)報(bào)（自然科學(xué)版）》.2016,第38卷（第5期）, | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 韓修訓(xùn);董琛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江西理工大學(xué) |
| 代理機(jī)構(gòu) | 甘肅省知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)中心代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 341000江西省贛州市章貢區(qū)紅旗大道86號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種高質(zhì)量CsPbI2Br無機(jī)鈣鈦礦薄膜的制備方法，屬于太陽能電池制備技術(shù)領(lǐng)域。該方法首先利用旋涂法制備一層PbI2薄膜，然后在PbI2薄膜表面分次旋涂CsBr甲醇溶液，經(jīng)后退火過程形成鈣鈦礦。在該過程中，通過控制CsBr沉積次數(shù)，可以有效地調(diào)控CsPbI2Br薄膜的成膜質(zhì)量及相成分。同時(shí)為了能夠讓PbI2更有效地轉(zhuǎn)化為鈣鈦礦、避免過多PbI2的殘留，引入了綠色反溶劑對(duì)PbI2薄膜進(jìn)行處理，通過構(gòu)建具有隨機(jī)晶粒取向的微/納多孔中間相薄膜，使CsBr分子能夠更有效地?cái)U(kuò)散到PbI2薄膜中，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)CsPbI2Br無機(jī)鈣鈦礦薄膜更完全、更高效的轉(zhuǎn)化，其制備的無機(jī)鈣鈦礦薄膜厚度、形貌以及相成分可控，光吸收好。該方法工藝簡(jiǎn)單，成本低廉，易于工業(yè)化，有利于推動(dòng)全無機(jī)鈣鈦礦器件的發(fā)展。 |
