一種薄膜體聲波諧振器及其制作工藝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010526851.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111817679B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-10-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111817679B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-15 |
| 分類(lèi)號(hào) | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/13;H03H9/17 | 分類(lèi) | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 李林萍;盛荊浩;江舟 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 見(jiàn)聞錄（浙江）半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廈門(mén)福貝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 陳遠(yuǎn)洋 |
| 地址 | 313000 浙江省湖州市康山街道紅豐路1366號(hào)3幢1219-23 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 公開(kāi)了一種薄膜體聲波諧振器，包括設(shè)置在聲波反射結(jié)構(gòu)所在襯底的上部的底電極層、壓電層和頂電極層，其中壓電層的與聲波反射結(jié)構(gòu)的邊界對(duì)應(yīng)的部位經(jīng)過(guò)退極化處理以形成退極化部。還公開(kāi)了一種薄膜體聲波諧振器的制作工藝，包括在形成或?qū)⒁纬陕暡ǚ瓷浣Y(jié)構(gòu)的襯底上制作底電極層以覆蓋聲波反射結(jié)構(gòu)；在底電極層上制作壓電層；對(duì)壓電層的與聲波反射結(jié)構(gòu)的邊界對(duì)應(yīng)的部位進(jìn)行退極化處理以形成退極化部；在壓電層上制作頂電極層。該薄膜體聲波諧振器及其制作工藝可以抑制橫波從諧振器的空腔上部的諧振區(qū)域帶走能量，從而保證諧振區(qū)域的機(jī)械振動(dòng)強(qiáng)度，抑制寄生振蕩，并提升諧振器Q值。 |
