本征型低介質(zhì)損耗因數(shù)聚酰亞胺薄膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011361830.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112480405B 公開（公告）日 2021-10-12
申請公布號 CN112480405B 申請公布日 2021-10-12
分類號 C08G73/10（2006.01）I;C08J5/18（2006.01）I;C08L79/08（2006.01）N 分類 有機高分子化合物；其制備或化學加工；以其為基料的組合物;
發(fā)明人 姬亞寧;青雙桂;易春晴;蔣耿杰 申請（專利權(quán)）人 桂林電器科學研究院有限公司
代理機構(gòu) 桂林市持衡專利商標事務(wù)所有限公司 代理人 唐智芳
地址 541004廣西壯族自治區(qū)桂林市七星區(qū)東城路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種本征型低介質(zhì)損耗因數(shù)聚酰亞胺薄膜及其制備方法，屬于聚酰亞胺材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所述聚酰亞胺薄膜在組成上含有占比為5～30mol％的式（I）表示的重復單元及余量的低極性聚酰亞胺聚合物，其中雙酯鍵單體TAHQ的使用有效降低聚酰亞胺體系的介質(zhì)損耗因數(shù)，而采用式（I）所示結(jié)構(gòu)的聚合物與低極性聚酰亞胺聚合物通過嵌段聚合而成的聚酰亞胺薄膜無需涂覆熱塑性層即可滿足行業(yè)標準中對剝離強度的要求，且介電損耗因數(shù)≤0.006、介電常數(shù)≤3.0（10GHz），滿足高頻條件下的信號傳輸要求。其中，所述式（I）表示的重復單元結(jié)構(gòu)如下：3式（I）中，X為CH3或CF，n為大于或等于1的整數(shù)。