低介電高絕緣強度聚酰亞胺薄膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110609234.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113234245A 公開（公告）日 2021-08-10
申請公布號 CN113234245A 申請公布日 2021-08-10
分類號 C08J5/18;C08L79/08;C08K3/08;C08K3/22 分類 有機高分子化合物；其制備或化學(xué)加工；以其為基料的組合物;
發(fā)明人 任小龍;王振宇;朱凌云;汪英 申請（專利權(quán)）人 桂林電器科學(xué)研究院有限公司
代理機構(gòu) 桂林市持衡專利商標事務(wù)所有限公司 代理人 唐智芳
地址 541004 廣西壯族自治區(qū)桂林市七星區(qū)東城路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種低介電高絕緣強度聚酰亞胺薄膜及其制備方法。該薄膜的制備方法包括：先制備聚酰胺酸樹脂溶液；然后在聚酰胺酸樹脂溶液中加入銀鹽分散液和增強填料分散液，混勻，所得混合樹脂溶液在流涎成膜后經(jīng)恒溫?zé)岱纸狻啺坊?、定型處理，即得；其中，銀鹽分散液和增強填料分散液分別為銀鹽和增強填料分別分散于極性非質(zhì)子溶劑中形成的溶液，它們的加入量分別為聚酰胺酸樹脂溶液固含量的0.1～10wt％和0.5～8.5wt％；所述恒溫?zé)岱纸馓幚硎窃?90～220℃條件下保溫分解，分解時間≥5min。本發(fā)明所述方法制得的薄膜不僅具有較低的介電性，還具有較高的力學(xué)性能和絕緣強度。