一種聚酰亞胺基耐高溫電磁屏蔽薄膜及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111439607.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113968987A 公開（公告）日 2022-01-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN113968987A 申請(qǐng)公布日 2022-01-25
分類號(hào) C08J5/18（2006.01）I;C08L79/08（2006.01）I;C08K9/04（2006.01）I;C08K3/22（2006.01）I;H05K9/00（2006.01）I 分類 有機(jī)高分子化合物；其制備或化學(xué)加工；以其為基料的組合物;
發(fā)明人 馬紀(jì)翔;姬亞寧;青雙桂;劉姣;蔣耿杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 桂林電器科學(xué)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 桂林市持衡專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 唐智芳
地址 541004廣西壯族自治區(qū)桂林市七星區(qū)東城路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種聚酰亞胺基耐高溫電磁屏蔽薄膜及其制備方法，屬于聚酰亞胺材料技術(shù)領(lǐng)域。所述的制備方法包括：向聚酰胺酸樹脂溶液中加入金屬氧化物分散液，混合均勻，所得混合樹脂溶液采用熱亞胺化法制備而得；其中：金屬氧化物分散液是以鈦酸丁酯為改性劑，在極性非質(zhì)子溶劑中在水和冰乙酸存在的條件下對(duì)金屬氧化物進(jìn)行改性而得；所述金屬氧化物為選自ATO、ITO、FTO、IZO和IGZO中的一種或兩種以上的組合。本發(fā)明所述方法制備得到的薄膜在具有良好電磁屏蔽效能的同時(shí)還具有良好的透光率和更高的耐熱性，滿足光通信的使用要求。