一種用于單晶硅熱場(chǎng)的加熱器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201120315050.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN202226960U 公開(kāi)（公告）日 2012-05-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN202226960U 申請(qǐng)公布日 2012-05-23
分類號(hào) C30B15/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 李寧;趙世鋒;張衛(wèi)中;王漢召;金瑩;李雷 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 河北宇晶電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 石家莊匯科專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 劉聞鐸
地址 065201 河北省廊坊市三河市燕郊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)迎賓路晶龍集團(tuán)工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型應(yīng)用于電子、光伏行業(yè)，涉及一種用于單晶硅熱場(chǎng)的加熱器，包括兩個(gè)支撐腳和連接配裝在兩個(gè)支撐腳之間的加熱片，加熱片為上、下連續(xù)回繞的蛇形且回繞的加熱片之間留有間隙，所述的上、下回繞的加熱片為上寬下窄的設(shè)置。本實(shí)用新型采用非均勻的加熱器加熱片，可以使加熱器的高溫區(qū)域向下移動(dòng)，從而使加熱器上部的溫度梯度加大，同時(shí)使適合晶體生長(zhǎng)的溫度區(qū)域加大，結(jié)晶前沿橫向的溫度梯度適當(dāng)平穩(wěn)。