一種多通道均勻上排氣熱場機構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201120315046.4 申請日 -
公開（公告）號 CN202214445U 公開（公告）日 2012-05-09
申請公布號 CN202214445U 申請公布日 2012-05-09
分類號 C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 曹中謙;楊運忠;張衛(wèi)中;金瑩;李雷;王漢召 申請（專利權）人 河北宇晶電子科技有限公司
代理機構 石家莊匯科專利商標事務所 代理人 劉聞鐸
地址 065201 河北省廊坊市三河市燕郊經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)迎賓路晶龍集團工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種多通道均勻上排氣熱場機構，包括排氣箱和與排氣箱的底端連通的主排氣管；排氣箱由圓環(huán)形上蓋、圓環(huán)形下蓋、內(nèi)隔離筒和外隔離筒圍成；內(nèi)隔離筒的筒壁上設有多個上排氣孔。內(nèi)隔離筒與外隔離筒之間設有中隔離筒；在中隔離筒的筒壁上且與內(nèi)隔離筒筒壁上的上排氣孔相對應的位置也設有上排氣孔，上排氣管的兩端分別套裝在兩個相對應的上排氣孔內(nèi)；在圓環(huán)形下蓋上且位于中隔離桶和外隔離桶之間的底面上設有主排氣孔，主排氣管的上端套裝在主排氣孔內(nèi)。本實用新型具有獨特的均勻排氣管路和流量控制，使上排氣過程均勻，有效的控制了熔硅液面上方產(chǎn)生的氣體亂流，使整個拉晶氣氛平穩(wěn)。