一種多端口低容電壓浪涌保護芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201922332585.8 申請日 -
公開（公告）號 CN210778602U 公開（公告）日 2020-06-16
申請公布號 CN210778602U 申請公布日 2020-06-16
分類號 H01L27/02(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 楊顯精;仇利民;張守明;戴劍;吳月挺;李洪朋;俞鴻驥;韓紅巖 申請（專利權(quán)）人 蘇州晶訊科技股份有限公司
代理機構(gòu) 蘇州國誠專利代理有限公司 代理人 蘇州晶訊科技股份有限公司;北京時代華諾科技有限公司
地址 215163江蘇省蘇州市高新區(qū)昆侖山路189號2號樓2樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種多端口低容電壓浪涌保護芯片，其具有多端口的保護功能，整體泄流能力和穩(wěn)定性好，保護響應速度快、應用范圍廣：其包括至少兩個并排且相互反向設置的保護單元，包括：襯底，具有第一導電類型；基區(qū)，具有第二導電類型；第一高摻雜擴散區(qū)，具有第二導電類型；發(fā)射區(qū)，具有第一導電類型，發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成短路結(jié)構(gòu)；環(huán)形區(qū)，具有第一導電類型，環(huán)繞基區(qū)設置；高摻雜二次擴散區(qū)，具有第二導電類型，位于基區(qū)內(nèi)且位于發(fā)射區(qū)的一側(cè)；條形區(qū)，具有第一導電類型，位于環(huán)形區(qū)與發(fā)射區(qū)之間，且與環(huán)形區(qū)相接；第二高摻雜擴散區(qū)，具有第一導電類型，第一高摻雜擴散區(qū)與第二高摻雜擴散區(qū)互補；電極，設置于襯底上表面上。??