半導(dǎo)體器件及芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201920301065.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN209515676U 公開(kāi)（公告）日 2019-10-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN209515676U 申請(qǐng)公布日 2019-10-18
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I; H01L29/423（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 賴海波; 朱開(kāi)興; 丘榮貴; 賴思佳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 福建龍夏電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 福建龍夏電子科技有限公司
地址 364012 福建省龍巖市新羅區(qū)東肖鎮(zhèn)曲潭路15號(hào)龍巖市科技創(chuàng)業(yè)園一號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體器件及芯片，該器件包括：位于襯底內(nèi)的終端溝槽柵結(jié)構(gòu)和若干元胞溝槽柵結(jié)構(gòu)；所述終端溝槽柵結(jié)構(gòu)具有沿設(shè)定方向間隔排列的若干環(huán)形側(cè)表面；若干所述元胞溝槽柵結(jié)構(gòu)分別位于若干所述環(huán)形側(cè)表面的內(nèi)側(cè)，且每一所述終端溝槽柵結(jié)構(gòu)的環(huán)形側(cè)表面與對(duì)應(yīng)內(nèi)側(cè)的元胞溝槽柵結(jié)構(gòu)的側(cè)表面以恒定間距同心設(shè)置。本實(shí)用新型的技術(shù)方案解決了現(xiàn)有分裂柵溝槽型MOSFET的溝槽柵結(jié)構(gòu)間距不能保持一致導(dǎo)致電參數(shù)一致性差的問(wèn)題。