溝槽型二極管器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201721894930.1 申請日 -
公開（公告）號 CN207925486U 公開（公告）日 2018-09-28
申請公布號 CN207925486U 申請公布日 2018-09-28
分類號 H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱開興;徐承福 申請（專利權）人 福建龍夏電子科技有限公司
代理機構 上海盈盛知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 福建龍夏電子科技有限公司
地址 364012 福建省龍巖市新羅區(qū)東肖鎮(zhèn)曲潭路15號龍巖市科技創(chuàng)業(yè)園一號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種溝槽型二極管器件，所述溝槽型二極管器件包括：半導體襯底；位于所述半導體襯底內的多個溝槽結構，包括：外圍的終端溝槽結構以及位于所述終端溝槽結構內側的陣列分布的元胞溝槽結構，相鄰元胞溝槽結構之間的間距相等為第一間距，最外圈的各位置處的元胞溝槽結構與終端溝槽結構之間的間距相等為第二間距，所述第一間距與所述第二間距相等，所述溝槽結構包括溝槽、覆蓋所述溝槽內壁的介質層以及位于所述介質層表面且填充滿所述溝槽的多晶硅層；連接所述溝槽結構以及被所述終端溝槽結構包圍的半導體襯底表面的金屬層。所述溝槽型二極管的漏電均勻性較高。