溝槽型二極管器件及其形成方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201810971379.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN109037059A | 公開(公告)日 | 2018-12-18 |
申請公布號 | CN109037059A | 申請公布日 | 2018-12-18 |
分類號 | H01L21/329;H01L29/872 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 賴海波;徐承福;朱開興 | 申請(專利權(quán))人 | 福建龍夏電子科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 福建龍夏電子科技有限公司 |
地址 | 364012 福建省龍巖市新羅區(qū)東肖鎮(zhèn)曲潭路15號龍巖市科技創(chuàng)業(yè)園一號樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種溝槽型二極管器件及其形成方法,所述溝槽型二極管器件包括:半導(dǎo)體襯底;位于半導(dǎo)體襯底內(nèi)的陣列分布的元胞溝槽;覆蓋所述元胞溝槽內(nèi)壁的介質(zhì)層,所述介質(zhì)層的厚度自元胞溝槽頂部向下逐漸增大;位于所述介質(zhì)層表面且填充滿所述元胞溝槽的電極層,所述電極層的寬度自元胞溝槽頂部向下逐漸減小。所述溝槽型二極管器件的導(dǎo)通電阻降低,提高擊穿電壓。 |
