溝槽型二極管器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201821370886.9 申請日 -
公開（公告）號 CN208674062U 公開（公告）日 2019-03-29
申請公布號 CN208674062U 申請公布日 2019-03-29
分類號 H01L21/329（2006.01）I; H01L29/872（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 賴海波; 徐承福; 朱開興 申請（專利權）人 福建龍夏電子科技有限公司
代理機構 上海盈盛知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 福建龍夏電子科技有限公司
地址 364012 福建省龍巖市新羅區(qū)東肖鎮(zhèn)曲潭路15號龍巖市科技創(chuàng)業(yè)園一號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種溝槽型二極管器件，所述溝槽型二極管器件包括：半導體襯底；位于半導體襯底內的陣列分布的元胞溝槽；覆蓋所述元胞溝槽內壁的介質層，所述介質層的厚度自元胞溝槽頂部向下逐漸增大；位于所述介質層表面且填充滿所述元胞溝槽的電極層，所述電極層的寬度自元胞溝槽頂部向下逐漸減小。所述溝槽型二極管器件的導通電阻降低，提高擊穿電壓。