溝槽型二極管器件及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711477989.5 申請日 -
公開（公告）號 CN108155223A 公開（公告）日 2018-06-12
申請公布號 CN108155223A 申請公布日 2018-06-12
分類號 H01L29/06;H01L21/329;H01L29/872 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 賴海波;朱開興;鐘圣榮 申請（專利權(quán)）人 福建龍夏電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 福建龍夏電子科技有限公司
地址 364012 福建省龍巖市新羅區(qū)東肖鎮(zhèn)曲潭路15號龍巖市科技創(chuàng)業(yè)園一號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種溝槽型二極管器件及其形成方法，所述溝槽型二極管器件包括：半導(dǎo)體襯底；位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的多個溝槽結(jié)構(gòu)，包括：外圍的終端溝槽結(jié)構(gòu)以及位于所述終端溝槽結(jié)構(gòu)內(nèi)側(cè)的陣列分布的元胞溝槽結(jié)構(gòu)，相鄰元胞溝槽結(jié)構(gòu)之間的間距相等為第一間距，最外圈的各位置處的元胞溝槽結(jié)構(gòu)與終端溝槽結(jié)構(gòu)之間的間距相等為第二間距，所述第一間距與所述第二間距相等，所述溝槽結(jié)構(gòu)包括溝槽、覆蓋所述溝槽內(nèi)壁的介質(zhì)層以及位于所述介質(zhì)層表面且填充滿所述溝槽的多晶硅層；連接所述溝槽結(jié)構(gòu)以及被所述終端溝槽結(jié)構(gòu)包圍的半導(dǎo)體襯底表面的金屬層。所述溝槽型二極管的漏電均勻性較高。