半導(dǎo)體器件及其形成方法、芯片
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910179350.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN109935635A | 公開（公告）日 | 2019-06-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109935635A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-06-25 |
| 分類號(hào) | H01L29/78（2006.01）I; H01L29/423（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 賴海波; 朱開興; 丘榮貴; 賴思佳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 福建龍夏電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 福建龍夏電子科技有限公司 |
| 地址 | 364012 福建省龍巖市新羅區(qū)東肖鎮(zhèn)曲潭路15號(hào)龍巖市科技創(chuàng)業(yè)園一號(hào)樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其形成方法、芯片，該器件包括：位于襯底內(nèi)的終端溝槽柵結(jié)構(gòu)和若干元胞溝槽柵結(jié)構(gòu)；所述終端溝槽柵結(jié)構(gòu)具有沿設(shè)定方向間隔排列的若干環(huán)形側(cè)表面；若干所述元胞溝槽柵結(jié)構(gòu)分別位于若干所述環(huán)形側(cè)表面的內(nèi)側(cè)，且每一所述終端溝槽柵結(jié)構(gòu)的環(huán)形側(cè)表面與對(duì)應(yīng)內(nèi)側(cè)的元胞溝槽柵結(jié)構(gòu)的側(cè)表面以恒定間距同心設(shè)置。本發(fā)明的技術(shù)方案解決了現(xiàn)有分裂柵溝槽型MOSFET的溝槽柵結(jié)構(gòu)間距不能保持一致導(dǎo)致電參數(shù)一致性差的問題。 |
