MEMS黑體封裝用的紅外濾光片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210381588.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114460677A 公開(kāi)（公告）日 2022-05-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN114460677A 申請(qǐng)公布日 2022-05-10
分類號(hào) G02B5/20（2006.01）I;G02B1/115（2015.01）I;C23C14/30（2006.01）I;C23C14/26（2006.01）I;C23C14/16（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C23C14/02（2006.01）I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 何虎;張杰;許晴;于海洋;顏斌;甘凱仙;平華;張敏敏 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 翼捷安全設(shè)備（昆山）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海智信專利代理有限公司 代理人 -
地址 215325江蘇省蘇州市昆山市周莊鎮(zhèn)敏銳路6號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種MEMS黑體封裝用的紅外濾光片及其制備方法，其中，所述的紅外濾光片包括基底材料和增透膜膜系結(jié)構(gòu)，所述的增透膜膜系結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述的基底材料的兩側(cè)；所述的增透膜膜系結(jié)構(gòu)為：Sub/0.26M1.34H0.92M1.65H1.33M1.27H1.87M0.67H3.3M 1.62M1.27L1.06M3.44L0.44M/Air，本發(fā)明的MEMS黑體封裝用的紅外濾光片，以高阻區(qū)熔單晶硅為基底的，在波長(zhǎng)2.0～15μm范圍內(nèi)透射率T＞70%，其中2.5～12μm范圍內(nèi)透射率T＞85%的紅外濾光片，可以滿足NDIR紅外氣體傳感器的需要，填補(bǔ)了市場(chǎng)空白。