屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法(錘形)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810351438.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN108400094B | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-08-14 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN108400094B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-08-14 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/336(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張帥;黃昕 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 廣州安海半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海大視知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 濟(jì)南安海半導(dǎo)體有限公司;廣州安海半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 地址 | 250102山東省濟(jì)南市中國(guó)（山東）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)濟(jì)南片區(qū)經(jīng)十東路7000號(hào)漢峪金谷A1-3棟12樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。由于該屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法中，首先通過(guò)二次刻蝕形成臺(tái)階式溝槽，在完成溝槽底部的第一次屏蔽柵摻雜多晶硅淀積后，進(jìn)一步刻蝕減薄了屏蔽柵側(cè)壁氧化層，再進(jìn)行第二次屏蔽柵摻雜多晶硅淀積，因此利用該方法形成的屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的屏蔽柵底部的氧化層厚度較其它位置更厚，可以達(dá)到減弱屏蔽柵底部電場(chǎng)的目的，從而避免屏蔽柵底部擊穿，同時(shí)利用臺(tái)階式溝槽改變了柵結(jié)構(gòu)的形貌，優(yōu)化了電流導(dǎo)通路徑，提升器件耐用性，且本發(fā)明的屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，其制造方法工藝簡(jiǎn)便，成本也相當(dāng)?shù)土?? |
