一種調(diào)節(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管溝道長(zhǎng)度的新方法及其制造工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810288960.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108511515A 公開（公告）日 2018-09-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN108511515A 申請(qǐng)公布日 2018-09-07
分類號(hào) H01L29/10;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/336;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張帥;黃昕 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣州安海半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 510620 廣東省廣州市天河區(qū)天河路一街385號(hào)第7層702號(hào)自編55單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種調(diào)節(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管溝道長(zhǎng)度的新方法及其制造工藝，該方法利用溝槽設(shè)計(jì)出不同的離子注入的角度，形成的溝道區(qū)域的角度不同，得到不同深度的溝道，從而調(diào)節(jié)溝道長(zhǎng)度；為了在調(diào)節(jié)溝道長(zhǎng)度的同時(shí)不影響基區(qū)電阻，場(chǎng)效應(yīng)晶體管利用溝槽作為阻擋，通過調(diào)節(jié)注入角度形成不同的溝道長(zhǎng)度，同時(shí)通過調(diào)節(jié)contact的P型雜質(zhì)來降低基區(qū)電阻且不影響溝道區(qū)。本發(fā)明制造工藝中注入的劑量可以根據(jù)閾值電壓的需求并結(jié)合導(dǎo)通電阻進(jìn)行協(xié)調(diào)，為了降低基區(qū)電阻，在contact刻蝕完成后緊接著注入P型雜質(zhì)，利用橫向擴(kuò)散與溝道區(qū)連接，為了降低基區(qū)電阻，此P型雜質(zhì)的濃度會(huì)更濃，但是由于離溝道較遠(yuǎn)，所以對(duì)閾值電壓的影響很小。