具有超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的溝槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811136100.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN109346523A | 公開（公告）日 | 2019-02-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109346523A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-02-15 |
| 分類號(hào) | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張帥;黃昕 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 廣州安海半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海大視知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 張帥;黃昕;濟(jì)南安海半導(dǎo)體有限公司 |
| 地址 | 200233 上海市徐匯區(qū)桂平路88弄7號(hào)302室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種具有超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的溝槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的具有超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的溝槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其具有二氧化硅深槽，且該深槽周圍具有P型層與N型外延，從而與現(xiàn)有的超結(jié)結(jié)構(gòu)MOSFET相比，其導(dǎo)通電阻更小，同時(shí)由于柵極與漏極的接觸面積更小，而且有二氧化硅深槽隔離，所以柵漏電容更小，開關(guān)速度更快，進(jìn)而進(jìn)一步提升了器件整體性能，且本發(fā)明的具有超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的溝槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，生成制造方法簡(jiǎn)便，生產(chǎn)及應(yīng)用成本也相對(duì)低廉。 |
