屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810351436.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN108493251A | 公開（公告）日 | 2018-09-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN108493251A | 申請(qǐng)公布日 | 2018-09-04 |
| 分類號(hào) | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黃昕;張帥 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 廣州安海半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海大視知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 張帥;黃昕;濟(jì)南安海半導(dǎo)體有限公司 |
| 地址 | 200233 上海市徐匯區(qū)桂平路88弄7號(hào)302室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。由于該屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法中首先在溝槽底部形成底部氧化層，再于溝槽表面形成屏蔽柵氧化層，因此利用該方法形成的屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的屏蔽柵底部的氧化層厚度較其它位置更厚，可以達(dá)到減弱屏蔽柵底部電場(chǎng)的目的，從而避免屏蔽柵底部擊穿，提升器件耐用性，且本發(fā)明的屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)簡單，其制造方法工藝簡便，成本也相當(dāng)?shù)土?/td> |
