一種生長(zhǎng)大尺寸碳化硅單晶的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201721400309.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN207435586U | 公開（公告）日 | 2018-06-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN207435586U | 申請(qǐng)公布日 | 2018-06-01 |
| 分類號(hào) | C30B29/36;C30B35/00 | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 左洪波;楊鑫宏;李鐵;袁帥 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 龍江銀行股份有限公司哈爾濱開發(fā)區(qū)支行 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 150001 黑龍江省哈爾濱市南崗區(qū)西大直街357號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種生長(zhǎng)大尺寸碳化硅單晶的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)整體由坩堝、坩堝蓋、籽晶桿、上部保溫層結(jié)構(gòu)、下部保溫層結(jié)構(gòu)、側(cè)面保溫層結(jié)構(gòu)以及感應(yīng)線圈組成。坩堝分為筒狀無底結(jié)構(gòu)和坩堝托兩個(gè)部分，筒狀無底結(jié)構(gòu)放置于坩堝托上部，筒狀無底結(jié)構(gòu)為高純石墨材料，坩堝托為耐高溫絕緣材料；籽晶桿下端為籽晶托盤結(jié)構(gòu)，可隨升華過程中固體原料高度的降低而移動(dòng)；側(cè)面保溫層結(jié)構(gòu)外部的感應(yīng)線圈結(jié)構(gòu)可由上向下移動(dòng)，以便保證晶體的生長(zhǎng)界面與原料之間的合理間距。本實(shí)用新型熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)降低了晶體開裂的幾率，同時(shí)有效降低晶體內(nèi)部的微管、應(yīng)力等缺陷，實(shí)現(xiàn)大尺寸、半絕緣的碳化硅單晶的生長(zhǎng)。 |
