一種黑磷單晶片的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010189798.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113493929A 公開(kāi)（公告）日 2021-10-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN113493929A 申請(qǐng)公布日 2021-10-12
分類號(hào) C30B29/02（2006.01）I;C30B25/00（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 喻學(xué)鋒;喻彬璐;王佳宏 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市中科墨磷科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518111廣東省深圳市龍崗區(qū)平湖街道富康路6號(hào)寶能智創(chuàng)谷B棟6層602-4
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)一種黑磷單晶片的制備方法，該方法涉及大尺寸二維單晶材料生長(zhǎng)方面。制備方法是將磷源、催化劑按照一定質(zhì)量比例加入密封反應(yīng)器中，再進(jìn)行燒結(jié)，最終得到大尺寸黑磷單晶片。本方法獲得的黑磷單晶片水平尺寸可達(dá)厘米級(jí)，片狀結(jié)構(gòu)完整性高，且成功實(shí)現(xiàn)單晶片之間分散成核生長(zhǎng)，不互相粘連，能夠獲得高質(zhì)量無(wú)損單晶黑磷單晶片，有利于下游應(yīng)用。