一種過渡金屬摻雜二維薄片的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910563958.4 申請日 -
公開（公告）號 CN110216279B 公開（公告）日 2021-07-09
申請公布號 CN110216279B 申請公布日 2021-07-09
分類號 B22F1/00;C25D5/54;C01B25/00;C01B32/19;C01B19/04;B82Y30/00;B82Y40/00 分類 鑄造；粉末冶金;
發(fā)明人 喻學(xué)鋒;劉丹妮;王佳宏 申請（專利權(quán)）人 深圳市中科墨磷科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 518111 廣東省深圳市龍崗區(qū)平湖街道富康路6號寶能智創(chuàng)谷B棟6層602-4
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種簡易、快捷地制備摻雜過渡金屬的二維薄片的方法，在電場下將塊狀含層狀結(jié)構(gòu)的二維晶體轉(zhuǎn)變成少層的薄片，同時在薄片上摻雜過渡金屬異質(zhì)結(jié)。該方法中，將塊狀二維晶體作為工作電極，另外的惰性材料作為對電極，并都浸泡在電解液中，電解液為含過渡金屬陽離子及插層劑的有機溶劑。持續(xù)通電一段時間后，將得到的產(chǎn)物收集，清洗，超聲，得到摻雜過渡金屬的二維薄片。本發(fā)明利用電化學(xué)法快速制備摻雜過渡金屬的二維薄片，該方法條件簡單、成本低、產(chǎn)率高、重復(fù)性好、且對環(huán)境友好。