一種溫度梯度法晶體生長用溫度梯度可調(diào)節(jié)晶體爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023208098.X 申請日 -
公開（公告）號 CN215103676U 公開（公告）日 2021-12-10
申請公布號 CN215103676U 申請公布日 2021-12-10
分類號 C30B11/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 曹頓華;陳偉;董永軍;華偉;潘國慶 申請（專利權(quán)）人 南京光寶光電科技有限公司
代理機構(gòu) 江蘇圣典律師事務(wù)所 代理人 賀翔
地址 210008江蘇省南京市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)恒達路3號高通基地第A01、A03室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型屬于晶體生長應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種溫度梯度法晶體生長用溫度梯度可調(diào)節(jié)晶體爐，包括爐體、上保溫屏、下保溫屏、外保溫屏、內(nèi)保溫屏、水冷坩堝桿、坩堝護套、坩堝、發(fā)熱體、溫度輔助調(diào)節(jié)部和若干個溫度調(diào)節(jié)部。本實用新型的一種溫度梯度法晶體生長用溫度梯度可調(diào)節(jié)晶體爐的有益效果在于：其設(shè)計合理、工作狀態(tài)穩(wěn)定和安全，通過溫度輔助調(diào)節(jié)部、若干個溫度調(diào)節(jié)部，可針對不同的晶體生長需求做不同形狀的設(shè)計，調(diào)節(jié)方式更加靈活，實現(xiàn)單個晶體爐生長不同晶體對溫度梯度的不同需求，進而提高晶體產(chǎn)品品質(zhì)，實用性強。