發(fā)光二極管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111384504.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114156381A 公開（公告）日 2022-03-08
申請公布號 CN114156381A 申請公布日 2022-03-08
分類號 H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭濱剛;李州;徐華畢;陳嘉婷 申請（專利權(quán)）人 深圳市光科全息技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳中細(xì)軟知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王志強(qiáng)
地址 518055廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道松坪山社區(qū)高新北六道27號蘭光科技大樓C505
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管及其制備方法，發(fā)光二極管的制備方法，包括如下步驟：在襯底上分別沉積p型材料和n型材料，形成p型材料沉積層和n型材料沉積層，p型材料沉積層和n型材料沉積層部分重疊，第一次擴(kuò)散后，接著沉積導(dǎo)電材料，形成導(dǎo)電材料層，第二次擴(kuò)散后，設(shè)置第一電極和第二電極。這種發(fā)光二極管的制備方法可以用于納米尺寸的發(fā)光二極管的加工制造，并且與傳統(tǒng)方法相比，減少了工藝流程步驟，只需要簡單的沉積工藝配合擴(kuò)散技術(shù)，從而無需外延生長設(shè)備。與傳統(tǒng)方法相比，這種發(fā)光二極管的制備方法用于納米尺寸的發(fā)光二極管的加工制造時(shí)，降低了生產(chǎn)成本。