發(fā)光二極管的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111398381.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114156373A 公開（公告）日 2022-03-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN114156373A 申請(qǐng)公布日 2022-03-08
分類號(hào) H01L33/00（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭濱剛;李州;徐華畢;陳嘉婷 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市光科全息技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳中細(xì)軟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王志強(qiáng)
地址 518055廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道松坪山社區(qū)高新北六道27號(hào)蘭光科技大樓C505
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管的制備方法，包括如下步驟：提供GaN襯底；通過掩膜法結(jié)合微區(qū)域元素?cái)U(kuò)散摻雜技術(shù)，在GaN襯底內(nèi)摻雜元素以形成沿著依次連接的p?GaN層、量子肼層和n?GaN層；在GaN襯底上形成間隔設(shè)置的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，第一導(dǎo)電層與p?GaN層電連接，第二導(dǎo)電層與n?GaN層電連接；在第一導(dǎo)電層上設(shè)置第一電極，在第二導(dǎo)電層上設(shè)置第二電極。這種發(fā)光二極管的制備方法在GaN襯底內(nèi)摻雜元素以形成沿著GaN襯底的平面方向依次連接的p?GaN層、量子肼層和n?GaN層。這種發(fā)光二極管的制備方法通過摻雜的方式形成P?N結(jié)，從而無需外延生長(zhǎng)設(shè)備。與傳統(tǒng)方法相比，這種發(fā)光二極管的制備方法降低了生產(chǎn)成本。