一種選擇性鈍化接觸結(jié)構(gòu)電池及其制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110751031.0 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN113471305A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-10-01 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113471305A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-01 |
分類號(hào) | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/06(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 潘皓 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 同翎新能源(揚(yáng)州)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京知聯(lián)天下知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 張迎新;史光偉 |
地址 | 225603江蘇省揚(yáng)州市高郵經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)洞庭湖路科技創(chuàng)業(yè)中心 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種選擇性鈍化接觸結(jié)構(gòu)電池及其制備方法,其技術(shù)方案要點(diǎn)是包括N型硅基體,所述N型硅基體的上下表面設(shè)置有電極,所述N型硅基體正面覆蓋有AlOx鈍化層或SiNx減反層,在所述N型硅基體的背面制備隧穿氧化層及n+poly層,在所述N型硅基體與電極接觸區(qū)域?yàn)橹負(fù)诫s的n++poly層,非電極接觸區(qū)域?yàn)檩p摻雜的n+poly層。本發(fā)明通過(guò)電池片在非金屬區(qū)域輕摻雜,減少n+poly層寄生吸收效應(yīng),提高短路電流;金屬區(qū)域重?fù)诫s,降低金屬接觸復(fù)合及接觸電阻,提升開(kāi)路電壓及填充因子,進(jìn)一步提高電池效率。 |
