一種提高磁性多層膜結(jié)構(gòu)中偏置場穩(wěn)定性的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200810098871.6 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN101345286A 公開（公告）日 2009-01-14
申請公布號(hào) CN101345286A 申請公布日 2009-01-14
分類號(hào) H01L43/12(2006.01);H01F10/08(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王寅崗;李子全;陳建康;周廣宏 申請（專利權(quán)）人 江蘇海天金寧三環(huán)電子集團(tuán)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 南京航空航天大學(xué)
地址 210016江蘇省南京市御道街29號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種提高磁性多層膜結(jié)構(gòu)中偏置場穩(wěn)定性的方法，屬磁電子學(xué)和磁記錄技術(shù)領(lǐng)域。它包括以下步驟：(1)沉積磁性層；(2)利用聚焦鎵離子工作站作為離子輻照設(shè)備，進(jìn)行離子輻照改性；其特征在于：離子輻照的劑量為5×1011～5×1014ions/cm2。本方法可應(yīng)用于由磁性多層膜構(gòu)成的巨磁阻電阻傳感器、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、磁記錄器件等磁敏感器件中的磁敏感單元，具有方法簡單、效果好等優(yōu)點(diǎn)。