一種提高CoFe/Cu/CoFe/IrMn自旋閥結(jié)構(gòu)多層膜結(jié)構(gòu)中偏置場(chǎng)穩(wěn)定性的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200810098871.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN100585898C 公開(kāi)（公告）日 2010-01-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN100585898C 申請(qǐng)公布日 2010-01-27
分類號(hào) H01L43/12(2006.01)I;H01F10/08(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王寅崗;李子全;陳建康;周廣宏 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇海天金寧三環(huán)電子集團(tuán)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 南京航空航天大學(xué)
地址 210016江蘇省南京市御道街29號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種提高CoFe/Cu/CoFe/IrMn自旋閥結(jié)構(gòu)多層膜結(jié)構(gòu)中偏置場(chǎng)穩(wěn)定性的方法，屬磁電子學(xué)和磁記錄技術(shù)領(lǐng)域。一種提高磁性多層膜結(jié)構(gòu)中偏置場(chǎng)穩(wěn)定性的方法，屬磁電子學(xué)和磁記錄技術(shù)領(lǐng)域。它包括以下步驟：(1)沉積制作CoFe/Cu/CoFe/IrMn自旋閥結(jié)構(gòu)多層膜；(2)利用聚焦鎵離子工作站作為離子輻照設(shè)備，進(jìn)行離子輻照改性，離子輻照的劑量為1×1013ions/cm2，離子束能量為30keV，離子束流為1nA。本方法可應(yīng)用于由磁性多層膜構(gòu)成的巨磁阻電阻傳感器、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、磁記錄器件等磁敏感器件中的磁敏感單元，具有方法簡(jiǎn)單、效果好等優(yōu)點(diǎn)。