半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201821576533.4 申請日 -
公開（公告）號 CN209282209U 公開（公告）日 2019-08-20
申請公布號 CN209282209U 申請公布日 2019-08-20
分類號 H01L29/872（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L21/328（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林信南; 劉美華; 劉巖軍 申請（專利權(quán)）人 蘇州辰華半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳精智聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 深圳市晶相技術(shù)有限公司
地址 518052 廣東省深圳市前海深港合作區(qū)前海一路1號A棟201室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開一種半導(dǎo)體器件。其中，所述半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體基板；鈍化層，設(shè)置在半導(dǎo)體基板上；陽極，包括主體部和連接所述主體部的第一延伸部及第二延伸部，其中所述主體部設(shè)置在所述鈍化層遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體基板的一側(cè)，所述第一延伸部貫穿所述鈍化層且部分伸入所述半導(dǎo)體基板、以及所述第一延伸部遠(yuǎn)離所述主體部的端部和所述半導(dǎo)體基板之間設(shè)置有介質(zhì)層，所述第二延伸部貫穿所述鈍化層且部分伸入所述半導(dǎo)體基板、以及所述第二延伸部遠(yuǎn)離所述主體部的端部與所述半導(dǎo)體基板形成肖特基接觸；陰極，貫穿所述鈍化層、且所述陰極的端面與所述半導(dǎo)體基板形成肖特基接觸。