肖特基勢壘二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201821571583.3 申請日 -
公開（公告）號 CN209282208U 公開（公告）日 2019-08-20
申請公布號 CN209282208U 申請公布日 2019-08-20
分類號 H01L29/872（2006.01）I; H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林信南; 劉美華; 劉巖軍 申請（專利權(quán)）人 蘇州辰華半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 深圳精智聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 深圳市晶相技術(shù)有限公司
地址 518052 廣東省深圳市前海深港合作區(qū)前海一路1號A棟201室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，提供一種肖特基勢壘二極管，所述肖特基勢壘二極管包括：半導(dǎo)體基板；鈍化層；介質(zhì)層，設(shè)置在所述鈍化層上、且覆蓋所述第一陽極部接觸孔的底部和所述第二陽極部接觸孔的底部，所述第一陽極部接觸孔和所述第二陽極部接觸孔貫穿所述鈍化層、且伸入所述半導(dǎo)體基板內(nèi)部；陽極，包括伸入所述半導(dǎo)體基板內(nèi)部的第一陽極部、第二陽極部和第三陽極部，所述第三陽極部接觸孔貫穿所述介質(zhì)層和所述鈍化層、且伸入所述半導(dǎo)體基板內(nèi)部，所述第三陽極部接觸孔位于所述第一陽極部接觸孔和所述第二陽極部接觸孔之間；以及第一陰極和第二陰極。本實用新型實施例的肖特基勢壘二極管，可以優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，與CMOS工藝線兼容，減小反向漏電。